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Ⅱ型基板サイズ変更 その5 最終版?

昨年末のものは見直してみると不満な点がいくつかあり、大幅修正しました。
①スイッチングFETをTO263に変更、
②FETSWを入力端子の最短距離に配置、
③CR、TRをからチップ部品表面実装とした。
④入出力端子を3Pから2Pを2個に独立させた。
⑤電流検出20mΩを裏面配置とした。(他の裏面実装はパワー素子)
⑥両面を極力銅箔で埋めた。線路以外はグランドとした。
⑥以上の部品で再配置、最適化できた?20A級対応可能とした。
⑦ついでにDCDCドライブ定電流2SC1815省略(Zero氏提案)他定数も一部変更。
100%満足とはいかないがFushon PCBに発注した。新年10%オフキャンペーン価格でPayPal支払は2054円もちろん急がないのでシンガポールポスト便。
次回の新型走行充電器PIC版の予行演習になると思います。
10DCDCmini-top-grn.jpg
10DCDCmini-btm-grn.jpg
10DCDCmini-ove-grn.jpg
基板サイズは81.279*49.846 と無理なく、さらに小型化出来た。
追記: このPWBに致命的ミスが発覚しました。スイッチングFETの取付が出来ません。放熱面積と合わせてどう見てもまたしても廃棄です。



Zero氏からの指摘ケ所
①スイッチングFETのドレイン側パターンでの放熱面積を出来るだけ多くとる
②入力コンデンサの極性向きを変更しスイッチングFETソースアースラインをGND端子と直結ラインを設ける。
③部品面側のアース面積を極限まで広くとる。埋められる部分はすべて埋める
実際に変更したものが以下。
10Adcdcmini-pcb2.jpg
描いた後さらに物足りない部分が見えるがまいっか。と妥協してしまう。

| 10A級DCDC昇圧走行充電 | 16:11 | comments:0 | trackbacks:0 | TOP↑

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